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hjt和perc的IV測(cè)試打光方式區(qū)別

HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer,即本征薄膜異質(zhì)結(jié))和PERC(Passivated Emitter and Rear Cell,即鈍化發(fā)射極和背面電池)是兩種不同的太陽(yáng)能電池技術(shù)。在太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)和測(cè)試中,IV(電流-電壓)測(cè)試是評(píng)估其性能的重要方法。其中,打光方式是IV測(cè)試中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接影響到測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。以下是對(duì)HJT和PERC在IV測(cè)試打光方式上的區(qū)別進(jìn)行的詳細(xì)闡述。

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一、HJT技術(shù)概述及IV測(cè)試打光方式

HJT技術(shù)是一種采用非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)作為太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)的新型太陽(yáng)能電池技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是在晶體硅基底上形成一層本征非晶硅薄膜,再分別沉積p型和n型非晶硅薄膜,形成異質(zhì)結(jié)。HJT電池具有高開路電壓、低溫度系數(shù)、高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點(diǎn)。

在HJT電池的IV測(cè)試中,打光方式的選擇尤為重要。由于HJT電池的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),其對(duì)光譜的響應(yīng)較為敏感,因此需要使用能夠模擬實(shí)際太陽(yáng)光譜的光源進(jìn)行打光。常見的打光方式包括使用標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器(如AM1.5G模擬器)和脈沖式光源。標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器能夠模擬出接近實(shí)際太陽(yáng)光譜的光照條件,從而更準(zhǔn)確地評(píng)估HJT電池的性能。而脈沖式光源則適用于快速測(cè)試場(chǎng)景,但其光譜分布可能與實(shí)際太陽(yáng)光有所差異,因此在使用時(shí)需要注意其光譜匹配度。

二、PERC技術(shù)概述及IV測(cè)試打光方式

PERC技術(shù)是一種在晶體硅太陽(yáng)能電池基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新型技術(shù)。其特點(diǎn)是在電池背面采用鈍化技術(shù)和局部金屬化技術(shù),以減少背面的復(fù)合損失并提高開路電壓。PERC電池具有較高的轉(zhuǎn)換效率和良好的穩(wěn)定性。

在PERC電池的IV測(cè)試中,打光方式同樣重要。由于PERC電池的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),其對(duì)光譜的響應(yīng)相對(duì)較為穩(wěn)定,因此可以使用多種光源進(jìn)行打光。常見的打光方式包括使用標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器、鹵鎢燈等。這些光源在光譜分布和光照強(qiáng)度上有所不同,但都能夠滿足PERC電池IV測(cè)試的需求。其中,標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器仍然是最常選的光源之一,因?yàn)樗軌蚰M出接近實(shí)際太陽(yáng)光譜的光照條件,從而更準(zhǔn)確地評(píng)估PERC電池的性能。

三、HJT與PERC在IV測(cè)試打光方式上的區(qū)別

  1. 光源選擇:雖然HJT和PERC在IV測(cè)試中都可以使用標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器等光源進(jìn)行打光,但由于HJT電池對(duì)光譜的響應(yīng)較為敏感,因此在使用時(shí)需要更加注意光源的光譜匹配度。而PERC電池則相對(duì)較為穩(wěn)定,對(duì)光源的要求相對(duì)較低。

  2. 測(cè)試精度:由于HJT電池的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),其IV測(cè)試結(jié)果的精度受到打光方式的影響較大。因此,在使用HJT電池進(jìn)行IV測(cè)試時(shí),需要更加注意打光方式的選擇和調(diào)整,以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。而PERC電池的IV測(cè)試結(jié)果則相對(duì)較為穩(wěn)定,受打光方式的影響較小。

  3. 測(cè)試時(shí)間:由于HJT電池對(duì)光譜的敏感性較高,因此在進(jìn)行IV測(cè)試時(shí)需要花費(fèi)更多的時(shí)間進(jìn)行光源的校準(zhǔn)和調(diào)整。而PERC電池則相對(duì)較快,可以在較短時(shí)間內(nèi)完成IV測(cè)試。

綜上所述,HJT和PERC在IV測(cè)試打光方式上存在一定的區(qū)別。在使用這兩種技術(shù)進(jìn)行IV測(cè)試時(shí),需要根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和測(cè)試需求選擇合適的打光方式,并注意調(diào)整光源的光譜匹配度和測(cè)試精度,以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。


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